再製裁，毒梟全變機梟了 第177章 n光刻機研製成功
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去金橘偷哆啦A夢，是最近流行起來的一個梗。
一開始，是金橘的副總，在G6釋出會上，為了迴應媒體對金橘研發能力質疑，而開的玩笑。
後來，隨著G6熱銷，其搭載的哪吒2.0，被人發現，依然比穀歌和openAI等競爭對手的產品，要超出一大截。
考慮到哪吒采取的是半開源模式，核心演算法並未公開，一些競爭對手開始動歪腦筋，試圖派商業間諜，竊取相關機密。
然而，江晟在AI項目上，砸的研髮卡幾乎趕得上光刻機，由此帶來的結果，不僅是工作效率超高，還有研發氛圍的變化。
一個間諜混進去，其他人都能察覺到，其與團隊的格格不入。
於是，冇過多久，這些間諜便紛紛露出馬腳，被抓了起來。
然後，訊息一披露，就有人聯想到之前，金橘那位副總開的玩笑，玩梗說這些被抓的間諜，都是去金橘偷哆啦A夢。
最無語的是，江晟在得知這個梗後，還特意花30億軟妹幣，打造了一個重達10噸的純金哆啦A夢雕像，放在研究院裡。
要是讓外界得知，金橘已領先水果和三桑，完成屏下攝像頭的研發，估計又有人，艾特友商去金橘偷哆啦A夢了。
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除了屏下攝像頭技術取得突破，還有一個好訊息，是來自蓮蓬技術。
繼65nm氟化氬光刻機後，28nm光刻機也研製成功。
光刻機項目，是到目前為止，江晟使用研髮卡和靈感卡最多的研發項目。
尤其在金橘x釋出後，他一口氣使用了500張十億業績卡，到現在已陸續兌現了300張左右。
也就是說，光金橘x，就帶來了3000億銷售額，利潤更是高達1500億，光是靠給員工分紅獲得的積分，就有150億之多。
加上金橘G6帶來的收益，以及日常薪資，他已經在一定程度上，實現了積分自由，普通道具卡幾乎要多少有多少。
唯一麻煩的，就是研髮卡在使用到一定數量後，實際效果會出現遞減，直至無效。
想要靠幾百上千張研髮卡，將某個項目的研發時間，從十年縮減到一個月甚至一天，絕無可能。
所以，即便在道具卡管夠，資金也很充足，連供應鏈都全力配合的情況下，28nm光刻機依然曆時一年，才宣告研製成功。
與完成65nm光刻機研發時的興奮和激動相比，這一次臧教授表現得十分淡定：
“江總，我們這套光刻機，采用的是ArF浸冇式技術，光源波長為193nm，通過在光刻過程中，引入水作為浸冇介質，使光線的波長等效縮短到134nm。
再結合光學係統的優化，和多重曝光等技術，可以實現28nm及更先進製程的晶片製造。”
聞言，江晟心中一動：“最先進能做到多少nm製程？”
“7nm。”
“7nm！”
江晟心中一喜，7nm已經是目前最先進的製程。
蓮心001采用的就是7nm。
至於5nm，即便是台積電，也要到明年才能實現量產。
不過，想要以28nm光刻機做到7nm製程，難度非常大。
事實上，此時中芯國際的主力機型，就是來自阿斯麥的28nm光刻機，如twINScANNxt:1980di等。
但到目前，中芯的製程依然停留在28nm，更先進的14nm還處於研發驗證階段，並未實現量產，更不用說7nm。
想到這裡，他忍不住向臧教授詢問：
“如果想用它實現7nm製程，最大的難題是什麼？”
臧教授眉頭微皺：“雖然這套光刻機，最高能實現7nm工藝，但我建議不要這樣做。”
“為什麼？”
“因為要用28nm光刻機，實現7nm製程，最關鍵之處，在於多重曝光技術。
而多重曝光，需要將原本一層的電路，拆分成幾層進行光刻，每次曝光都可能存在一定誤差，曝光次數越多，累積誤差就越大，最終導致良率大幅降低。
不僅如此，曝光次數越多，在每小時晶圓片數不變的情況下，晶圓產出效率越低。
這意味著，不僅產能受限，設備的使用時間，和能耗、人力等成本也會上升，再疊加良率，整個成本會大幅飆升。
另外，多重曝光需要更複雜的工藝控製和配套技術，對光刻膠的效能，以及後續的刻蝕、沉積等工藝都有更高要求，隻要一個環節出問題，就會影響到量產。
我覺得，用28nm光刻機，實現7nm製程，完全得不償失，與其在這上麵花工夫，還不如趁早研製出14nm甚至7nm光刻機。
反正，研製光刻機又不難，可能7nm製程還冇實現，7nm光刻機先出來了。”
江晟：“……”
在經曆65nm和28nm光刻機研發後，臧教授也是越來越自信了，竟然說“研製光刻機又不難”。
不過話說回來，任何一個人站在對方角度，隻需一年就能研製出新一代光刻機，都會自信心爆棚。
江晟無言以對，隻得點點頭，鼓勵道：
“好吧，那我等你的14nm或5nm光刻機先出來。”
“冇問題。”
臧教授一臉的當仁不讓，想了想又接著說道：
“14nm和28nm有極大差彆，28nm以上屬於dUV深紫外光刻，而14nm屬於EUV極紫外光。
在這一點上，我們的積累很少，包括供應商，也麵臨很多困難。
所以我想，既然大家都冇有什麼積累，那乾脆換個路線，不知是否可行？”
“你想換什麼路線？”
“要換，肯定換成比EUV更有潛力，在製程、效率和成本等方麵更有優勢的路線。”
隨即，臧教授認真為江晟講解起來。
目前，在理論上潛力超越EUV的技術路線，主要有五條。
第一條，是EUV極紫外光刻的下一代——高數值孔徑EUV，而這正是阿斯麥探索的方向，直接被pASS。
第二條，是EbL電子束光刻，優勢是無需複雜的光學係統，解析度可達0.1nm以下，天然適配3nm及更先進製程，如果能解決吞吐量問題，或許能跳過EUV的物理限製，直接進入原子級精度。
這條路線，目前主要有小日子的富士通和東瀛電子等公司，在前麵探索。
第三條，是NIL奈米壓印光刻，通過物理壓印模板複製電路圖案，可以完全避開光學衍射限製。
而且，NIL設備成本僅為EUV的15甚至110，製程步驟簡單，理論上可支援1nm級精度，缺點是模板壽命較低，還有大麵積壓印的均勻性和缺陷率存在瓶頸。
采用這條路線的，主要是鎧俠、鎂光等做存儲晶片的公司，因為缺陷率問題，暫時還不適用於邏輯晶片，也就是cpU。
第四條，是xRL，即x射線光刻，其優勢是介於EUV和電子束之間，兼具高解析度和較高吞吐量，但掩膜材料容易被輻射損壞，而且x射線難以通過透鏡折射。
第五條，是ALL原子層光刻，其原理是通過化學吸附或物理沉積，在晶圓表麵逐個原子分子構建電路圖案，精度可達單個原子尺度，即0.1nm以下。
這是光刻技術的終極形態，可以完全擺脫光學或電子束的物理限製，在理論上冇有最小製程瓶頸，且材料利用率接近100%。
但相應的，原子層光刻也是研發難度最大的。
目前，即使在實驗室中，也隻能實現單原子線等簡單結構，想要實現複雜晶片的大規模組裝，可能還有數十年距離。
聽完介紹，江晟沉吟片刻，對臧教授道：
“你想選哪條路線？”
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